化工行業的全球領導者 SABIC 今天推出了 LNP? KONDUIT? 8TF36E 化合物，這是一種新型特種材料，有助于滿足用于對雙倍數據速率 (DDR) 進行壓力測試的老化測試插座 (BiTS) 的嚴格要求) 存儲器集成電路 (IC)。隨著 DDR IC 引腳數量和測試溫度的增加以及尺寸的縮小，BiTS 組件中使用的材料必須具有增強的性能。SABIC 的新化合物提供非常高的流動性，有助于實現復雜的小型化 BiTS 設計；出色的尺寸穩定性和耐高溫性，可在測試過程中增強 BiTS 功能；和高導熱性，以迅速散發熱量。

與導熱填充尼龍等現有材料相比，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有更高的流動性和更好的尺寸穩定性。客戶可以從使用這種新材料中獲益，它可以滿足他們的所有需求。

LNP & NORYL 業務管理總監 Joshua Chiaw 表示：“DDR 內存 IC 的需求正在穩步增長，這要歸功于移動設備和 PC 以外的應用的擴展，例如依賴高數據速率的汽車和云計算系統?！鄙程鼗A工業公司。“為了評估下一代 DDR IC，老化測試插座需要具有改進性能的新材料解決方案——而 SABIC 正在解決這一未滿足的需求。我們對高性能材料的持續投資表明了我們對半導體行業的堅定承諾?！?/span>

測試性能

雙倍數據速率存儲器 IC 每個處理器時鐘周期獲取兩次數據，可加速數據傳輸以滿足游戲、人工智能和其他數據密集型應用的高吞吐量需求。這項技術給測試插座制造商帶來了更大的壓力，他們的產品必須適應更高的電壓、更高的溫度環境、更小的外形尺寸和更多的引腳。由于這些原因，DDR IC 的 BiTS 設計需要高精度、高耐用性和可操作性。

LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有高流動性，有助于實現具有許多針點的小型化和復雜設計。在測試過程中，它可以輕松承受 150°C 的典型測試溫度，同時保持良好的尺寸穩定性，有助于提高測量精度。這種高熱能力可能允許 BiTS 重復使用而不會降解。此外，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物可以承受高達 260°C 的極端溫度，從而具備滿足未來更高熱 BiTS 要求的能力。最后，為了在測試后快速散熱，新產品提供了高達 4.5W/mk 的高導熱系數

這種新的 SABIC 化合物非常適用于 BiTS 組件中的固定結構部件，包括閂鎖和適配器。

“存儲芯片的進步對老化測試插座提出了新的要求，”SABIC 亞太地區配方與應用總監 Jenny Wang 說。“隨著 DDR IC 功率的增加，溫度控制對于驗證 BiTS 系統中的所有設備在可靠性測試期間是否均勻受壓至關重要。我們的新型 LNP KONDUIT 材料實現了現有材料無法實現的目標。它不僅具有高導熱性，而且還具有有助于成功測試的其他關鍵特性?！?/span>

新的 LNP KONDUIT 8TF36E 化合物已在全球上市。